半导体制造落后国际先进水平两代以上，基础研究投入严重不足。
近日，一篇刊载于《中国科学院院刊》2023年第2期“科学观察”的文章《加强半导体基础能力建设 点亮半导体自立自强发展的“灯塔”》广为流传，由来自中国科学院半导体研究所、半导体超晶格国家重点实验室的学者撰写。
文章指出，如今美国已拧熄“灯塔”，我们芯片产业进入“黑暗森林”，目前我国半导体制造落后国际先进水平两代以上，面临半导体物理人才严重短缺、基础研究投入严重不足、评价机制不利于半导体基础研究、缺乏协同创新机制等困境，并提出加强半导体基础研究能力建设的五点建议。
DOI:10.16418/j.issn.1000-3045.20230130001
作者信息：
骆军委 中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任。研究方向：半导体物理与器件物理、后摩尔时代硅基材料理论设计。
李树深 中国科学院院士，中国科学院副院长、党组成员，中国科学院大学党委书记、校长，中国科学院半导体研究所研究员。研究方向：半导体器件物理。
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