5nm刚实现量产，3nm还未投产，2nm的角逐却已经进入白热化阶段。
2nm制程全球争夺战升级！6月16日，台积电首度公布2nm先进制程，将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025量产。
就在日前，不甘落后的三星也进行了3nm制程芯片的首秀。传三星已经从6月初展开3纳米GAA制程试产，相较台积电预计2022下半年量产的3纳米FinFET制程，三星3纳米至今仍未取得客户投片，但台积电3纳米传出已有英特尔(Intel)、苹果(Apple)两大客户包下产能。
（2019~2021 台积电重要客户营收贡献度）
●晶圆代工们的2nm雄心
“围攻”2nm：台积电“稳”，三星“沉默”，欧洲突然插手！
依据官方说明，台积电在2nm制程上将采用以环绕式栅极技术（GAA）为基础的MBCFET架构，计划于2023年下半年进行风险性试产，于2024年量产。又有消息称，苹果正与台积电联合推动2nm芯片研发。
至于三星，众所周知，为了追赶台积电，它直接跳过了4nm，转向3nm制程的量产。去年11月，三星方面也披露了有关3nm制程的计划，将量产时间定在2022年，这一时间节点与台积电是保持一致的。
但是三星的良率一直是个问题，之前三星的旗舰移动处理器Exynos 2200就是雷声大雨点小，甚至还有紧急撤销宣发的情况。如果三星内部的力量还不能有效整合，2nm也可能会虎头蛇尾。
再看看一直在“挤牙膏”的英特尔，口口声声放话要重回先进制程领先地位的英特尔，在一次又一次宣示精确制程蓝图的同时，却又与台积电异曲同工，规划要到2纳米时代(Intel 20A)才导入GAA晶体管架构设计，与台积电先后在2024及2025年导入2纳米GAA制程量产。
然而颇为令人意外的是，在台积电与三星之外，还有一方也对2nm制程虎视眈眈，那就是欧盟。
日前，欧盟委员会提出数字化转型新目标，其中一个目标就是：到2030年，欧洲先进和可持续半导体的生产总值至少占全球生产总值的20%，生产能力冲刺2nm，能效达到今天的10倍。
而就在去年，19个欧盟成员国也签署了一项联合声明，其中提到他们将研发应用于特定领域的芯片和嵌入式系统，并提升向2nm节点迈进的晶圆代工能力，以“加强欧洲开发下一代处理器和半导体的能力”。
● 2nm追逐战打响中芯国际还有希望吗？
2nm来了，终结FinFET？
一直以来，包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术。
严格来说，芯片工艺几nm，应该是从源极到漏极是几nm，也就是按栅极的宽度。
但实际上，台积电、三星目前所说的5nm、3nm等，都是自己的命名，他们都将制程数字搞得小了一点，但实际并未达到那个程度，而英特尔最近揭开了这个现状。
英特尔也修改了原来的制程命名，将原来的7 nm工艺改为了Intel 4，对应台积电、三星的4nm工艺。
高通之前就曾表示，别太相信晶圆代工厂的工艺。其实，台积电的一位技术负责人在2019年时也曾提到，几nm工艺已经与栅极宽度不太相关了。
照这样来说的话，我们中芯国际跟台积电、三星等技术相差的也没实际那么多了。
现在，中芯国际明面上说是量产了14nm、12 nm，还有N+1工艺也量产了，还在推进N+2工艺。N+1、N+2其实是中芯内部的代号，并没有直接表明是多少nm。
但按晶圆管密度来对比的话，N+1基本相当于台积电10 nm节点，而N+2就相当于台积电的7nm了。这也正好对应了梁孟松说的，已经完成了28-7nm技术开发。
由于受到限制，目前不能进行10nm以下，但技术水平上已经可以达到7nm了。
梁孟松表示5nm和3nm最关键、最艰巨的8大项技术已经有序展开，只待EUV光刻机到来。如果不是限制了EUV，中芯的制造技术可能会更快。
照这么来看，中芯的高端制程希望还是很大的。
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