战略转型聚焦半导体业务，内生外延持续拓展。公司自成立以来，以传感终端应用为起点，通过内生发展及外延并购成功将业务向产业链上游延伸拓展，目前MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造已成为公司的主要核心业务。公司于2021年12月发布关于瑞典子公司收购德国产线资产的公告，将公司核心主业传感器和芯片工艺制造的业务范围进一步拓宽至汽车电子领域、迅速提升可兼容 MEMS 与 CMOS 芯片集成工艺制造的境外产能，提高公司在全球范围内的综合竞争实力。
MEMS制造技术全球领先，产能爬坡推动业绩上升。MEMS下游应用主要包括消费电子、工控、通讯、汽车、医疗等领域。由于MEMS器件具有惯性小、谐振频率高、响应时间短等优点，所以其应用度也在持续提升。根据Yole数据，2020年全球MEMS市场规模为121亿美元，预计将于2026年增长至182亿美元，年复合增长率达到7.2%。公司是全球领先的MEMS代工企业，其子公司瑞典Silex产能持续扩充，FAB1&FAB2通过添购关键设备继续提升产线的整体产能。同时，公司控股子公司赛莱克斯北京“8英寸MEMS国际代工线”（北京FAB3）一期规模产能（1万片/月）已正式启动量产，二期规模产能（2万片/月）已启动建设。此外，赛莱克斯北京还于2021年8月与怡格敏思、武汉敏声签署《战略合作框架协议》，决定在“射频滤波器芯片”的8英寸晶圆代工领域开展长期战略合作，共同建设能够充分满足射频滤波器芯片产品代工制造需求的定制化专用产能。随着MEMS终端设备的广泛拓展应用以及相关产品需求的不断增长，公司营收有望随产能爬坡而持续提升。
积极拓展GaN业务，已取得多项突破。在GaN外延材料、芯片方面，公司已开始签订批量销售合同并陆续交付，推动研发、推出不同规格的功率芯片产品及应用方案。此外，公司持续布局GaN产业链，子公司聚能创芯以参股方式建设GaN芯片制造产线，积极推动技术、工艺、产品积累，以满足下一代功率与微波电子芯片对GaN外延材料及GaN芯片的需求。
投资建议：
我们预计21-23年公司实现归母净利润1.54/3.85/6.62亿元，考虑到公司正处于产能释放的快速增长期，并参考可比公司22年PE均值，给予公司60倍PE，对应市值为231亿元，对应价格31.64元/股，首次覆盖给予买入评级。
风险提示：
下游应用需求不及预期风险、对外投资不及预期风险、研发进度不及预期风险、业务规模拓展带来经营管理风险
1. 全球MEMS制造领先企业，深耕外延持续拓展
1.1.聚焦半导体业务，致力MEMS与GaN制造/研发
战略转型聚焦半导体业务，内生外延持续拓展。公司成立于2008年，自成立以来，以传感终端应用为起点，通过内生发展及外延并购成功将业务向产业链上游延伸拓展。目前，MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造已成为公司的主要核心业务。基于对MEMS和GaN产业发展前景的判断，且受囿于复杂的国际政治经济环境，公司对长期发展战略做出重大调整，已陆续剥离航空电子、导航及其他非半导体业务，以形成以半导体为核心的业务格局。
公司主要业务包括MEMS与GaN生产制造。公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务。目前，公司的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计，下游应用包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。
MEMS业务以晶圆制造为主，以工艺开发为辅。公司MEMS业务包括晶圆制造与工艺开发两类。其中，MEMS晶圆制造业务是指在完成MEMS芯片的工艺开发、实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供批量晶圆制造服务；而MEMS工艺开发业务则根据客户提供的芯片设计方案，以满足产品性能，实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标，利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程。目前，公司MEMS业务以晶圆制造为主，1H21，公司MEMS晶圆制造营收达到2.55亿元，占MEMS业务总营收的71%。此外，公司MEMS工艺开发营收于1H21达到1.06亿元，占MEMS业务总营收的29%。
公司GaN业务包括外延材料与芯片设计两大环节。公司GaN业务主要可以分为GaN外延材料与GaN芯片设计。其中，GaN外延材料业务基于自主掌握的工艺诀窍、根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6~8英寸GaN外延材料；而GaN芯片设计业务则基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。
公司股权结构稳定，国家大基金助力公司成长。公司控股股东为杨云春，截至2022年1月10日，杨云春直接持有公司27.54%股份。同时，公司于2016年战略引入北京集成电路制造和装备股权投资中心。根据Wind数据，北京集成电路制造和装备股权投资中心在公司的持股比例为1.04%。此外，公司还于2019年引入战略股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司。截至2022年1月10日，国家集成电路产业投资基金股份有限公司在公司的持股比例达到12.10%。
2021年限制性股票激励计划，吸引并留住海内外人才。公司为进一步建立、健全公司长效激励机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司（含子公司）董事、高级管理人员、中层管理人员及/或核心技术/业务人员的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共通关注公司的长远发展，公司于2021年11月推出《2021年限制性股票激励计划》。该激励计划拟向激励对象授予权益总计不超过1459.96万股，约占该激励计划草案公告时公司股本总额的2%，首次授予的激励对象共计159人，包括董事、高级管理人员、中层管理人员以及核心技术/业务人员。
外延并购拓展业务，积极进行产业投资布局。公司围绕主要业务开展了一系列产业投资布局，直接或通过产业基金对产业链相关企业进行参股型投资。目前，公司主要子公司包括Silex Microsystems AB、SMI（Silex Microsystems Inc.）、SSA（Silex Securities AB）、运通电子有限公司、北京赛莱克斯国际科技有限公司、北京微芯科技有限公司以及赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司等。同时，公司延续发展战略重大调整，资源聚焦半导体业务的需要，继续剥离剩余部分导航业务，出售耐威时代100%股权、对中测耐威进行减资。此外，公司根据发展需求，投资新设业务子公司，继续实施针对企业与基金的相关产业投资，如投资设立聚能国际、对爱集微进行增资、参投设立火眼基金等。
全资子公司瑞典Silex拟收购德国ELMOS汽车芯片制造产线相关资产，拓展汽车电子领域。公司为将核心主业传感器和芯片工艺制造的业务范围进一步拓宽至汽车电子领域、迅速提升可兼容MEMS与CMOS芯片集成工艺制造的境外产能，提高公司在全球范围内的综合竞争实力，公司全资子公司瑞典Silex拟以8450万欧元收购德国ELMOS的汽车芯片制造产线相关资产。Elmos 成立于1984 年，该制造产线于2009年，主营业务为开发、制造和销售各类 CMOS及传感器芯片。公司产品范围涵盖汽车高速网络通信接口芯片、电源稳压芯片、光学红外传感芯片、电机驱动系统微控制芯片、MEMS等。透过此次收购，公司有望拓展至汽车电子类应用，Elmos 将在产线交割时提供工艺技术许可，特别是支持产线 350nm 工艺流程的产品开发套件，但若涉及具备战略价值的汽车领域中的特定应用市场，需要获得德国Elmos的批准同意；此外本次交易需要遵守欧盟和德国的相关法律法规，并符合法定的交割条件能否获 得批准以及获得批准的时间存在不确定性。
1.2.发展规划清晰，促进盈利能力增强
坚持自主创新，持续围绕主营业务进行深入系统研究。公司坚持自主创新战略，研发团队围绕MEMS、GaN业务的关键技术进行了深入系统研究，自主研发并掌握了相关工艺核心技术及相关产品的软硬件设计核心技术。近年来，公司一直保持着较高的研发投入水平和强度，2018~2020的研发费用分别为0.54、1.10、1.95亿元，占当年营收比例分别为7.58%、15.32%、25.49%。3Q21，公司继续大力推进MEMS工艺开发技术，MEMS晶圆制造技术、GaN外延材料生长工艺技术、GaN芯片及应用设计技术等的研发，研发费用达到1.95亿元，占营收的比重达到33.39%。同时，公司具有专业的技术团队，截至1H21，公司拥有博士37名，硕士162名，合计占公司总人数的31.94%；且公司研发及技术人员合计270人，占公司总人数的43.34%。
凭借技术优势，公司已吸引众多优质客户。目前，在MEMS领域，公司服务的客户包括国际知名的DNA/RNA测序仪、光刻机、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细分行业的领先企业。在GaN领域，公司已成为全球GaN功率器件及PD快充领域的头部供应商之一，服务下游知名消费类、工业级客户。
公司业务快速发展，业绩持续提升。公司主营业务MEMS工艺与晶圆制造具备全球竞争优势，拥有业内顶级专家与工程师团队以及持续扩张的8英寸成熟产能，较好地把握了下游生物医疗、通讯、工业汽车、消费电子等应用领域的市场机遇，瑞典MEMS产线保持了强劲的盈利能力。同时，公司加快GaN业务布局，已签署批量订单。3Q21，公司实现营收5.84亿元，同比增长9.21%；归母净利润达到0.88亿元，同比增长18.49%。
毛利率维持高位，净利率同比有所增长。近年来，公司毛利率持续保持稳定增长态势。2018~2020，公司毛利率分别为40.73%、44.21%以及45.48%；净利率分别为13.21%、14.67%以及24.50%。3Q21，公司由于业务发展需要，研发投入与财务费用均有所增长，影响了公司盈利水平，导致公司3Q21毛利率达到46.36%，但净利率为9.03%。
新增设备导致折旧摊销费用增长。公司新建晶圆厂引入新设备后，导致新增设备的折旧摊销金额以及固定资产修理费用增加，从而使得MEMS制造费用增长94.97%。在产线折旧摊销方面，公司严格按照财政税务部门的相关政策和行业惯例执行，机器设备方面公司目前选择按10年进行折旧，厂房按照20年进行折旧，北京MEMS产线的相关资产已从2020年10月转固并按会计准则规定计提折旧。根据FAB3截至2020年末的资产情况（不考虑新添设备），静态预计每年归母折旧金额约在6000~7000万元区间。随着后续产能的扩张建设，该金额将相应增长。
2. 下游需求广阔+产能爬坡助力公司持续业绩提升
2.1.MEMS需求旺盛，海外龙头占据主要市场份额
MEMS采用机械结构，是当下传感器主要发展方向之一。MEMS微电机系统，将半导体技术的多功能性与机械结构的功能相结合，以微米或纳米级别的结构，应用在包括MEMS麦克风、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器等。MEMS可应用在惯性、压力、声学、磁力、温/湿度、气体等不同类型的应用领域，通常MEMS采用机械结构，通过感测到的外部型号来控制运动方向，进而改变电容之间的距离；透过机械装置所发生的物理变化，转换成电子信号并数据化，完成数据采集后就可以传送至后端的运算芯片进行计算。MEMS组成包含有微传感器、微结构、微电子、微致动器等，包含微电子、物理等技术。
MEMS具有多种优势，可被用于制造多种器件。MEMS器件体积小，一般单个MEMS传感器的尺寸以毫米甚至微米为计量单位，同时，微型化以后的机械部件具有惯性小、谐振频率高、响应时间短等优点。MEMS器件采用硅基加工工艺，可兼容传统IC生产工艺。由于MEMS具有多种优势，MEMS被用于制造多种器件。根据技术原理，MEMS器件可分为传感MEMS、生物MEMS、光学MEMS和射频MEMS。
MEMS器件工艺技术不断升级迭代，正向小尺寸、高性能发展。为满足如智能手机、平板电脑及可穿戴设备等消费电子的应用需求，MEMS正向小尺寸发展。同时，航天航空类的高端应用也推动MEMS器件向高性能发展。2000~2020，MEMS芯核尺寸已由10 mm²缩小至1~2 mm²；功耗由0.1mW降至0.05mW以下；平均单价也从3美金以上降至0.5美金左右。
多种应用趋势推动MEMS市场规模持续增长。MEMS下游应用主要包括消费电子、工控、通讯、汽车、医疗等领域。其中，消费电子是MEMS产品的核心市场，市场份额约占60%。MEMS市场具有多种应用趋势，包括老产品新应用（如传统的压力传感器、MEMS麦克风等产品总量随着新兴终端产品应用不断增加）、新领域新挑战（如5G、自动驾驶等加大了MEMS器件需求量）、老行业新需求（如手机中的5G射频元件BAW、汽车中的红外线传感器等需求快速增长），这些趋势都促进了MEMS市场的增长。根据Yole数据，2020年全球MEMS市场规模为121亿美元，2026年预计增长至182亿美元，年复合增长率约为7.2%。
MEMS OIS、MEMS麦克风将成为市场增速最快的MEMS产品。移动终端是MEMS的重要增长点，除了传统的惯性传感器、MEMS麦克风、压力传感器的普及和组合化趋势外，气压传感器、摄像头光学防抖OIS陀螺仪渗透率也快速提升。预计2020~2026，MEMS OIS市场年复合增长率约达到214%，MEMS麦克风市场规模年复合增长率约100%。
全球MEMS制造商业模式主要分为IDM、纯MEMS代工、集成电路代工三类。全球MEMS代工主要可IDM、纯MEMS代工、集成电路代工。其中，纯MEMS代工不提供任何设计服务，企业根据客户提供给的MEMS芯片设计方案，进行工艺制程开发以及代工生产服务，代表企业包括TeledyneDalsa、IMT等。IDM模式为自己设计自行生产，在满足自身晶圆制造需求后，也会将剩余产能外包出去，提供MEMS代工服务。传统集成电路MEMS代工则为传统集成电路（主要为CMOS）代工企业以原有的CMOS产线为基础，嵌套部分特殊的生产MEMS工艺技术，将旧产线转化为MEMS代工线，代表企业包括台积电、Global Foundries等。
MEMS由海外厂商垄断，赛微电子控股的Silex 在纯MEMS代工厂全球排名第一。MEMS产业由海外企业占据主要市场，2018年全球代工业务规模前十厂商均建立在欧美地区。从2018年MEMS代工业务规模来看，ST是全球第一大MEMS代工厂，已开展MEMS代工业务20余年。Silex Microsystems AB在2019年、2020年在纯MEMS代工厂排名第一，并已于2016年被赛微电子全资收购。
国内MEMS产业积极追赶，已建立多家MEMS代工厂。当前国内MEMS行业发展主要面临企业规模偏小、高端产品依赖进口、技术总体水平偏低、产业配套不足等问题。近年来，为加强国内MEMS产业竞争力，已有多家企业建立了MEMS工艺服务平台，为Fabless厂商提供了技术研究和开发平台。未来，随着产能向国内转移、市场需求增长、以及国内政策扶持，本土MEMS发展将逐渐趋于成熟与完善。根据赛迪智库数据，2018~2021年预计国内MEMS市场规模将从504亿元增长至851亿元，年复合增长率达到19.06%。
2.2. 公司MEMS制造技术业内领先，产能爬坡持续增长
公司已成为全球排名第一的MEMS纯代工厂，制造技术业内领先。公司长期保持在全球MEMS纯晶圆代工第一梯队，2019及2020年排名第一，代表着业内主流技术水平。自2000年至今，公司参与了400余项MEMS工艺开发项目，代工生产了包括微镜、光开关、片上实验室、微热辐射计、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。目前，公司拥有覆盖MEMS领域的全面工艺技术储备，关键技术已成熟并经过多年的生产检验，TSV、TGV、SilVia、MetVia、DRIE及晶圆键合等技术模块行业领先。
硅通孔技术是公司熟练掌握的MEMS制造技术之一。由于MEMS应用场景及产品种类的多样性，对MEMS制造工艺的需求也体现出高度的定制化与复杂性。在MEMS制造工艺中，公司熟练掌握硅通孔（TSV）和玻璃通孔（TGV）工艺技术。其中，硅通孔技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度、减小信号延迟、降低电容/电感，实现芯片间的低功耗、高速通讯、增加宽带和实现器件集成的小型化。
产能持续爬坡，推动公司MEMS业务营收进一步增长。公司子公司瑞典Silex产能持续扩充，FAB1&FAB2通过添购关键设备继续提升产线的整体产能。同时，公司控股子公司赛莱克斯北京“8英寸MEMS国际代工线”（北京FAB3）一期规模产能（1万片/月）已正式启动量产，二期规模产能（2万片/月）已启动建设。伴随公司产能爬坡，营收有望持续增长。
公司与武汉敏声展开战略合作，助力公司持续成长。公司子公司赛莱克斯北京于2021年8月与武汉怡格敏思科技有限公司、武汉敏声新技术有限公司签署《战略合作框架协议》，决定在射频滤波器芯片的8英寸晶圆代工领域开展长期战略合作，共同建设能够充分满足射频滤波器芯片产品代工制造需求的定制化专用产能。随着MEMS终端设备的广泛拓展应用以及相关产品需求的不断增长，公司业绩有望持续提升。
3. 积极拓展GaN市场，不断完善产业链布局
3.1.GaN市场逐渐成长，产业链整合成为重要竞争力
GaN材料特性具备耐高温、高频等特性，应用前景广阔。GaN作为第三代半导体具有宽带隙（3.4 eV）、击穿场强大（3.3 MW / cm）、电子饱和漂移速度高（2.7 * 107 cm / s）等物理结构优势。在以往的半导体材料中，Si是目前集成电路及半导体器件的主要材料，但其带隙窄，击穿电压低，在高频高功率器件的应用上效果不佳。以GaAs代表的第二代半导体材料由于电子迁移速率高，抗辐射等优点在微波通信领域有着重要的应用价值，是目前通信用半导体材料的基础。然而，GaAs的带隙和击穿电压仍难以满足高频高功率器件的要求。而GaN相较前两代半导体材料具有更大的禁带宽度和击穿电压，同时化学稳定性高，能够耐高温，耐腐蚀，因此在光电器件以及高频高功率电子器件应用上具有广阔的前景。
GaN物理特性相较于Si在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。
5G市场率先打开GaN商用空间。因为GaN材料及芯片具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，所以在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面具有广阔的前景。5G对GaN的需求增长十分明显，5G基站所需的射频功率放大器为GaN带来了绝佳的市场机遇。在5G的关键技术Massive MIMO应用中，基站收发信机上使用大数量（如32/64等）的阵列天线来实现了更大的无线数据流量和连接可靠性，这种架构需要相应的射频收发单元阵列配套，所以射频器件的数量将大为增加，器件的尺寸大小很关键，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特点可实现高集化的解决方案。同时，在5G毫米波应用上，GaN的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下，可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸，实现性能成本的最优化组合。随着5G的普及，GaN产品的应用数量也将不断上涨，推动GaN市场快速成长。
快充产品加速市场对于GaN的需求提升。GaN是目前全球最快的功率开关器件，并可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器可有效缩小产品尺寸。GaN的高频高速使得大功率USB PD充电器可以以小巧的体积实现大功率输出，满足了传统功率开关无法满足的需求，所以其使用率也在不断提升。2020年，全球快充下游智能终端出货量超过31亿个。随着GaN在快充市场的使用率提升以及快充产品出货量的增长，GaN市场有望进一步扩大。
LiDAR应用增长，促进GaN市场规模扩大。除5G与快充市场外，GaN也被应用于LiDAR中。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言，开关速度快十倍，使得LiDAR系统具备优越的解象度及更快速的反应时间，优良的性能也推动了LiDAR应用增长。根据Yole数据，2019~2025年预计全球LiDAR市场将从16亿美元增长为38亿美元，年复合增长率达到19%。随着LiDAR市场的扩大，GaN产品市场也将持续成长。
GaN市场成长空间广阔，市场规模有望随下游需求提升而迅速增长。随着5G时代的到来，5G基站与数据中心的建设将大幅带动GaN射频与功率器件市场，GaN在快充、LiDAR等方面的应用也将成为新需求增长点。根据Yole数据，2020年全球GaN功率器件市场规模为4600万美元，预计将于2026年增长至11亿美元，年复合增长率达到70%。
GaN产品生产难点在于衬底与外延材料的匹配。GaN同质衬底指衬底和外延都采用GaN材料。氢化物气相外延（HVPE）方法是目前研究生产GaN衬底的主流。大多数可以商业化方式提供的GaN均匀衬底都以这种方式生产。该技术具有设备简单、生长速度快、可控性强等优点，已成为同质外延生长器件结构的衬底。由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，当前大多数商业器件是基于异质外延的，即选择蓝宝石、AIN、SiC和Si材料衬底来替代GaN器件的衬底。制备异质衬底上的外延GaN膜已成为研究和生产GaN材料和器件的主要手段。然而，这些衬底材料和GaN之间的晶格失配和热失配非常大。因此，外延材料中存在较大的应力和较高的位错密度，不利于器件性能的提高。所以，GaN在晶圆材料制造方面具有一定难度。
GaN产业链各环节多点竞争。GaN器件产业链各环节依次为：GaN单晶衬底（或SiC、蓝宝石、Si）到GaN材料外延到器件设计到器件制造。其中，GaN衬底主要由日本公司主导；GaN外延片相关企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTT-AT、国内的赛微电子、苏州晶湛等；GaN器件设计厂商包括EPC、MACOM、Dialog等。目前，全球GaN器件产业以IDM为主，但随着材料技术不断成熟及市场需求增长，垂直分工模式也在逐渐兴起。
3.2.持续布局GaN产业链，积极推进GaN业务发展
拓展GaN业务，扩大公司成长空间。公司GaN业务以6~8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）等新型材料与芯片技术为基础，以专业技术及生产团队为条件，通过向GaN芯片设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料，向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等厂商研发、设计并销售GaN芯片获得销售收入。GaN作为新兴领域，涉足企业相对较少。通过拓展GaN市场，公司成长空间有望进一步扩大。
积极推进GaN业务发展，公司已取得多项突破。公司积极推动GaN业务发展。在GaN外延材料方面，公司基于自身掌握的业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、芯片设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证，开始签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付；在GaN芯片方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率芯片产品及应用方案，且已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量试产，并与知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行芯片系统级验证和测试，开始签订GaN芯片的批量销售合同并陆续交付。
持续布局GaN产业链，以参股方式建设GaN芯片制造产线。公司控股子公司聚能创芯是公司GaN业务的一级发展平台，主要从事功率与微波器件，尤其以GaN功率与微波器件的设计开发为主。目前，聚能创芯在已开发成功650V GaN HS功率器件平台的基础上，推出系列GaN功率器件产品，以积极推动技术、工艺、产品积累，从而满足下一代功率与微波电子芯片对GaN外延材料及GaN芯片的需求。随着聚能创芯GaN外延材料制造技术的提升，以及产品线的丰富，公司GaN业务有望取得更多突破，并带动公司业绩增长。
4.投资建议
公司主要业务包括MEMS器件及其工艺开发服务。受益于通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域的MEMS芯片工艺开发及晶圆制造需求不断增长，公司子公司瑞典Silex作为全球领先的纯MEMS代工企业，产能持续扩产，子公司赛莱克斯北京也已建成规模化MEMS代工能力并正式投产。未来，随着公司MEMS业务产能爬坡，公司相关业务营收将进一步增长。同时，随着公司对于剩余部分导航业务的剥离，公司相关业务营收将减少。我们预计公司2021~2023年营收分别为8.53、14.16、24.31亿元，归母净利润分别为1.54、3.85、6.62亿元。
可比公司方面，公司目前主要产品为MEMS器件、GaN功率器件及PD快充，我们选取士兰微、敏芯股份、圣邦股份作为可比公司。根据wind一致性预测，22年平均PE为63.7倍，考虑到公司正处于产能释放的快速增长期，保守估计给予公司60倍PE，对应市值为231亿元，对应价格31.64元/股，首次覆盖给予买入评级。
5. 风险提示
下游应用需求不及预期风险：受全球贸易摩擦、新冠疫情等多方面影响，全球经济仍处于周期性波动中，经济依然面临下滑的可能，对公司未来的业绩可能产生一定的负面影响。
对外投资不及预期风险：根据关于瑞典子公司收购德国产线资产的公告本次交易需要遵守欧盟和德国的相关法律法规，并符合法定的交割条件，包括但不限于从德国联邦经济事务与气候行动部获得FDI相关批准证书，能否获得批准以及获得批准的时间存在不确定性。
研发进度不及预期风险：公司在MEMS代工、GaN材料与设计方面面临研发投入大，以及新技术、新产品的研发、认证及产业化不达预期的风险。
业务规模拓展带来经营管理风险：随着公司经营规模的扩张，对于管理与协调能力提出了更高要求，若管理模式等不能跟上公司内外部环境的变化将给公司未来的经营和发展带来一定的影响。
注：文中报告节选自天风证券研究所已公开发布研究报告，具体报告内容及相关风险提示等详见完整版报告。
证券研究报告《聚焦MEMS+GaN，深耕外延扩大成长空间》
对外发布时间 2022年1月21日
本报告分析师：
程如莹 SAC执业证书编号：S1110521110002
李鲁靖 SAC执业证书编号：S1110519050003
