思特威取得CMOS传感器相关专利，省去互连金属线，提高增益降噪声提画质

6月17日消息，国家知识产权局信息显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器像素及其制造方法”的专利，授权公告号CN116190394B，授权公告日为2026年6月16日。申请公布号为CN116190394A，申请号为CN202111414444.6，申请公布日期为2026年6月16日，申请日期为2021年11月25日，发明人郭同辉，专利代理机构上海光华专利事务所（普通合伙），专利代理师罗泳文，分类号H10F39/12、H10F39/18、H04N25/60、H04N25/76。

专利摘要显示，本发明提供一种CMOS图像传感器像素及其制造方法，像素包括漂浮扩散有源区、复位晶体管、源跟随晶体管及掩埋型多晶硅连线；漂浮扩散有源区与复位晶体管的源极端相连，并且与源跟随晶体管的栅极端相连，复位晶体管的漏极端接第一电源，源跟随晶体管的漏极端接第二电源，漂浮扩散有源区、复位晶体管的源极端及源跟随晶体管的栅极端通过掩埋型多晶硅连线相连。本发明可以省去漂浮扩散有源区与源跟随晶体管栅极端的互联金属线，消除了上述互连金属线所产生的寄生电容，大幅提高了CMOS图像传感器像素的光电转换增益，可有效降低CMOS图像传感器像素输出信号中的噪声，从而大大提升传感器采集的图像品质。

天眼查数据显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司成立日期2017年4月13日，法定代表人XU CHEN，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为大型，注册资本40184.1572万人民币，实缴资本40230.6775万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室。思特威（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息258条，专利信息678条，拥有行政许可27个。

思特威（上海）电子科技股份有限公司近期专利情况如下：